29.04.2003 21:37
╘ Автор обозрения: Зюзин Юрий Борисович
⌠Все новое √ хорошо забытое старое■
Обзор подготовлен по результатам экспертизы старых изобретений, ранее не подлежавших публикации в открытой печати. Содержит о способах достижения сверхпроводимости материалов, о применении сверхпроводящих материалов в приборах и оборудовании. Обзор содержит более 400 изобретений.
Предоставление дополнительной информации по каждому из этих изобретений - услуга платная. По заявке могут быть высланы полные описания или формулы интересующих изобретений (номер которых Вы должны указать из этого списка).
Преимущество информации, содержащейся в этих патентах в том, что срок их действия истек, а изобретательская новизна (полезность) осталась и эти технологии без проблем могут быть внедрены в производство.
--------------------------------------------------------------------------------
ОБЗОР ИЗОБРЕТЕНИЙ СВЕРХПРОВОДНИКИ. Часть 2.
201.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР, включающий напыление сверхпроводникового соединения на подогреваемую подложку и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и повышения критических параметров, на подложку предварительно наносят эпитаксиальный слой материала с температурой плавления ┘ температуры плавления подложки, нагрев подложки с эпитаксиальным слоем и напыление проводят с помощью дуговой плазмы, причем ┘
202.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ОБРАЗЦОВ, содержащее сверхпроводящий соленоид, сверхпроводящий трансформатор, ко вторичной обмотке которого подключены сверхпроводящие образцы, снабженные нагревателями, отличающееся тем, что, с целью упрощения его конструкции, первичная обмотка сверхпроводящего трансформатора совмещена со сверхпроводящим соленоидом, а концы вторичной обмотки выполнены с прямолинейными участками по числу испытываемых образцов, с ┘
202-1.КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ЭКРАНОВ И СПОСОБ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ. 1.Композиционный материал, содержащий подложку из армированного стекловолокном пластика, покрытую сверхпроводящим слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения диапазона рабочих температур экрана, механической прочности и гибкости, сверхпроводящий слой выполнен из высокотемпературной сверхпроводящей керамики, которая в виде частиц размером ┘ 2.Способ изготовления композиционного материала, включающий нанесение сверхпроводящего слоя на подложку, отличающийся тем, что сверхпроводящий слой формируют путем многократного нанесения на подложку пасты, нагрева до ┘ и охлаждения до ┘, при этом паста содержит ┘
203.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВРЕМЕНИ ВОССТАНОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ КЛАПАНА КРИОТРОНА, содержащее одновибратор, вход которого является входом устройства, а выход подключен к управляющему входу ключа, включенного последовательно с управляемым источником тока и обмоткой управления испытуемого криотрона, расположенного в низкотемпературной зоне, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности определения времени восстановления, оно содержит второй одновибратор с элементами регулирования длительности импульсов, измеритель длительности импульсов, тиристор, блок запуска, регулирующее сопротивление, батарею конденсаторов с источником напряжения, пороговый детектор и индикаторное устройство, причем ┘
204*.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО РЕЗОНАТОРА из поликристаллического слитка ниобия с размером зерен не менее 50-100 мм, отличающийся тем, что, с целью обеспечения повышения стабильности и воспроизводимости рабочей частоты резонатора и его добротности, положение рабочего объема резонатора в слитке выбирают по площади петли гистерезиса, ┘, путем последовательно чередующихся операций механической обработки ┘и электрохимического контроля.
205.СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОЦЕНТНОГО СОДЕРЖАНИЯ КОМПОНЕНТ В СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ КЕРАМИКЕ, основанный на измерении зависимости от температуры магнитной восприимчивости обзразца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности оценки качества сверхпроводящей керамики путем определения доли высокотемпературной компоненты в смеси высокотемпературной и низкотемпературной компонент, присутствующих в образце, измерение магнитной восприимчивости ведут при охлаждении образца со скоростью ┘, по числу точек перегиба на графике ┘ судят о количестве компонент, температуру начала фазового перехода низкотемпературной компоненты в сверхпроводящее состояние определяют по минимальной производной ┘ в области между точками перегиба, соответствующими двум разным компонентам, долю высокотемпературной компоненты находят из соотношения ┘
206.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТИ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТИ СВЕРХПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее криостат, источник внешнего магнитного поля, сменный шток с измерительной камерой, причем выход камеры через вентиль соединен с газгольдером, а вход соединен с криостатом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования температуры и сокращения времени на переход с одной температуры на другую, в него дополнительно введены камера испарения жидкого гелия с датчиком уровня и нагревателем, камера нагрева ┘, фильтрующие сетки, блок испарения жидкого гелия и блок регулирования нагрева газа, причем ..
207.СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТА ВОЗНИКНОВЕНИЯ НОРМАЛЬНОЙ ФАЗЫ ДЛЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МАГНИТНЫХ СИСТЕМ С ЦИРКУЛЯЦИОННЫМ ОХЛАЖДЕНИЕМ, основанный на измерении интервала времени от появления напряжения нормальной фазы на обмотке до прихода волны давления по охлаждающему каналу к концу проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности определения места появления нормальной фазы, измеряют разницу времен прихода фронта волны давления к началу и концу проводника, причем отсчеты времени проводят по ┘, а для расчета места возникновения нормальной фазы используют скорость звука, соответствующую ┘
208*.ДЖОЗЕФСОНОВСКИЙ ПЕРЕХОД, содержащий полупроводниковую прослойку, расположенную между сверхпроводящими электродами, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности критического тока, полупроводниковая прослойка легирована изовалентной примесью, создающей квазилокальный уровень в зоне проводимости.
209.СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МНОГОВОЛОКОННОГО КОМПОЗИТА путем измерения удельного изменения количества бездефектных волокон, включающий запитку током замкнутого сверхпроводящего контура и измерение его затухания во времени, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности определения степени целостности сверхпроводящих волокон, из тестируемого композита формируют ряд контуров различной длины, для каждого из которых регистрируют величину высокостабильного тока, до получения контура с нулевым значением величины высокостабильного тока и определяют удельное изменение количества бездефектных сверхпроводящих волокон по формуле ┘
210.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МЕТАЛЛООКСИДНОГО МАТЕРИАЛА с толщинами 2-1000 мкм, включающий нанесение слоя суспензии порошков кислородсодержащих соединений металлов, входящих в состав материала, в нейтральной жидкости на подложку, имеющую кристаллографическое средство к кристаллизуемому слою, высушивание и кристаллизацию слоя, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса изготовления, после высушивания слоя суспензии порошков осуществляют проплавление слоя, причем высушивание и проплавление слоя производят при помощи ┘
211*.СПОСОБ СОЗДАНИЯ ПЛЕНКИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающий нанесение на подложку пленки стехиометрического состава, отжиг в кислородсодержащей среде и плазменную обработку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения времени плазменной обработки (с 1ч. до секунд), повышения производительности труда и понижения температуры отжига, плазменную обработку проводят в импульсном режиме набегающим потоком низкотемпературной плазмы при атмосферном давлении. Варианты.
212.СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВ, включающий полировку торцов соединяемых сверхпроводников и пластины из ниобия или его сплавов, электроимпульсную сварку сверхпроводников с пластиной и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения соединения сверхпроводников из Nb3Sn торцы соединяемых сверхпроводников приваривают к одной из сторон пластины и помещают в расплав бронзы, выдерживают ┘ при температуре ┘ и охлаждают до ┘
213.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХТОНКИХ ПЛЕНОК НИОБИЯ, включающий напыление и анодное окисление, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности пленок, анодное окисление первоначально проводят при плотности тока┘ до достижения заданной толщины пленки, а затем в режиме постоянного напряжения в течение ┘
214.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕРХПРОВОДНИКОВ ПРИ ИНДУКТИВНОМ ВВОДЕ ТОКА, содержащее криостат, в котором размещен сверхпроводящий соленоид и индуктивно связанный с ним расположенный перпендикулярно оси соленоида замкнутый сверхпроводящий контур, состоящий из катушки возбуждения и образца сверхпроводника, размещенного в центре соленоида, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей устройства за счет измерения параметров недеформированных сверхпроводников, сверхпроводящий соленоид выполнен с поперечной сквозной щелью┘
215.СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МНОГОЖИЛЬНЫХ КАБЕЛЬНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ по авт. св. ╧ 873830, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем уменьшения обрывности жил, после промывки жил на них накладывают дополнительный бандаж, выполненный в виде витков проволоки из материала жил, при этом диаметр проволоки ┘
216.СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МНОГОЖИЛЬНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ, включающий предварительное шлифование торцовых поверхностей проводов, освобождение жил от матрицы, расположение соединяемых проводов встречно, соединение проводов сваркой током, наложение на место соединения втулки, сдавливаемой с усилием, стабилизацию и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения токонесущей способности контакта (до 90%), провода с освобожденными на торцах жилами располагают соосно и сближают, вращая вокруг общей оси относительно друг друга, пропуская свариваемый ток по жилам, а при соприкосновении матриц √ по матрицам.
217*.СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СПЕКТРА КВАЗИЧАСТИЦ В ПРОВОДНИКАХ, состоящий в создании точечного контакта этих проводников с характерным размером микросужения, меньшим или равным длине энергетической релаксации электронов, создании на точечном контакте разности потенциалов, соответствующей значениям характерных энергий квазистатичных возбуждений, и измерении нелинейностей вольт-амперной характеристики, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности путем разделения вкладов совместно действующих разных типов процессов рассеяния электронов и типов рассеивателей с различными характерными частотами релаксации, на точечный контакт одновременно с постоянным напряжением воздействуют электромагнитным полем, частота которого ┘
218*.СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИОРЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ОБМОТОК НА ОСНОВЕ ВЫСОКОЧИСТОГО АЛЮМИНИЯ путем отжига структурных дефектов при температуре 373-393 К в течение 60-80 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения электропроводящих характеристик обмоток, предварительно производят циклическую деформацию в криогенных рабочих условиях ┘
219.СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОСТИКОВ, включающий осаждение на диэлектрическую подложку слоя вентильного металла, формирование на нем фоторезистивной маски над местом последующего расположения перешейка мостика, проведение плотного анодирования открытых участков вентильного металла, удаление фоторезистивной маски, проведение пористого анодирования вскрытого участка вентильного металла, нанесение фоторезистивной маски для формирования мостика, осаждение пленки сверхпроводника, удаление фоторезистивной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров сверхпроводящих мостиков, перед проведением плотного анодирования открытых участков вентильного металла осаждают дополнительный слой вентильного металла, толщина которого удовлетворяет соотношению ┘
220*.СПОСОБ ОБРАБОТКИ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО РЕЗОНАТОРА из ниобия, основанный на проведении электрохимического полирования при постоянном потенциале на участке отрицательного дифференциального сопротивления с контролем процесса по виду колебаний тока, отличающийся тем, что, с целью исключения брака за счет питтингообразования, полирование проводят при потенциале, соответствующем верхней границе области колебаний тока, описываемых странным аттрактором.
221.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ СВЧ-УСТРОЙСТВ, включающий создание сверхпроводящего контакта между элементами устройства и формирование интерметаллического соединения со структурой типа А-15 путем нанесения на его рабочую поверхность слоя соответствующего металла и проведение отжига в условиях образования интерметаллического соединения, отличающийся тем, что, с целью снижения брака за счет повышения точности изготовления, перед проведением отжига в условиях образования интерметаллического соединения одновременно с нанесением слоя соответствующего металла на рабочую поверхность его наносят на места контакта элемента, а затем ┘
222.СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МЕСТА ПЕРЕХОДА ЗАМКНУТОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО КОНТУРА В НОРМАЛЬНОЕ СОСТОЯНИЕ, при котором контур помещают в магнитное поле, изменяя магнитное поле, индуцируют ток в контуре, измеряют ток и напряжение между выбранными точками контура, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности измерений, изменение магнитного поля осуществляют со скоростью, обеспечивающей лавинообразный переход в нормальное состояние, при этом ┘
223.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИОБИЯ ОСОБОЙ ЧИСТОТЫ, включающий операции формообразования и доводки по форме и чистоте поверхности в жидкой защитной, охлаждающей и смазывающей среде, отличающийся тем, что, с целью повышения критических магнитных полей за счет увеличения напряжений и их градиентов в приповерхностных слоях и повышения химической и физической однородности поверхностей сверхпроводящих изделий, а также создания экологически чистой технологии, в качестве жидкой защитной, охлаждающей и смазывающей среды используют ┘
224*.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ЛЕНТЫ НА ОСНОВЕ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ типа А3В, где А √ ниобий или ванадий, В √ олово, кремний, германий и/или алюминий, включающий нанесение покрытия из компонента В или его сплавов на ленточную подложку из компонентов А или его сплава и последующий термодиффузионный отжиг металлокомпозиции подложка-покрытие, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса путем увеличения непрерывной длины получаемой сверхпроводящей ленты с высокой токонесущей способностью и производительности процесса, перед термодиффузионным отжигом металлоконструкцию покрывают сеткой и осуществляют намотку в рулон, при этом ┘
225.СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЭМИССИОННЫХ СВОЙСТВ РАБОЧЕЙ ПОВЕРХНОСТИ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО РЕЗОНАТОРА из ниобия и соединений на его основе путем снятия вольт-амперной характеристики резонатора, отличающийся тем, что, с целью упрощения контроля и проведения его на более раннем этапе изготовления резонаторов, резонатор помещают в электролитическую ванну с полирующим электролитом, снимают вольт-амперную жарактеристику последовательно при увеличении и уменьшении напряжения ┘., а контроль эмиссионных свойств осуществляют по площади петли гистерезиса ┘.
226.СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ДЛИННОМЕРНОГО КОМПОЗИЦИОННОГО СВЕРХПРОВОДНИКА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ. 1.Способ, основанный на регистрации отклика частоты перестраиваемого LC-генератора при протягивании сверхпроводника в магнитном поле через катушку индуктивности, являющуюся активным элементом указанного генератора, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности информации о величине критического тока и вихревых потерях в матрице сверхпроводника, измерения сигнала отклика от одного и того же участка сверхпроводника проводят одновременно на двух различных частотах ┘ 2.Устройство контроля параметров длинномерного композиционного сверхпроводника, содержащее криостат, сверхпроводящий соленоид, механизм транспортировки сверхпроводника, катушку индуктивности, являющуюся элементом LC-генератора, преобразователь частота-напряжение и регистрирующий прибор, отличающееся тем, что в него дополнительно введены два дифференциальных усилителя, второй частотный дискриминатор и второй LC-генератор, ┘
227.ВЧ-СКВИД, содержащий сверхпроводящее цилиндрическое кольцо с контактом Джозефсона, размещенное внутри индуктора резонансной цепи накачки, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента преобразования, индуктор установлен в цилиндрический резонатор, а между индуктором и кольцом установлен сверхпроводящий экран.
228*.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА путем имплантации ионов азота в пленки ниобия, отличающийся тем, что, с целью повышения критической температуры сверхпроводника, имплантацию ионов азота осуществляют бомбардировкой ионами азота с энергией ┘ и плотностью тока пучка ┘ в течение ┘, а затем отжиг пленки при 950-1000 град. С.
Преимущество предлагаемого способа заключается в возможности получения пленок нитрида ниобия с критическим температурами перехода в сверхпроводящее состояние, равным 16,1 √ 16,2 К, а также в возможности снизить время обработки образцов с 1 ч до 8-10 мин, в результате чего повышается производительность процесса. Кроме того отпадает необходимость в независимом нагреве образцов.
229.СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МНОГОЖИЛЬНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ ИЗ ДЕФОРМИРУЕМЫХ СПЛАВОВ путем совмещения зачищенных концов сверхпроводящих жил в зоне контакта и последующего прессования до образования контакта между ними в результате холодной сварки давлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения гибкости зоны соединения, зачищенные концы сверхпроводящих жил соединяемых сверхпроводников располагают в виде плоского слоя толщиной, равной ┘, в котором концы жил многократно пересекаются преимущественно ┘, и производят прессование зоны контакта участками с размерами шага ┘
230.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТУННЕЛЬНОГО КОНТАКТА, включающий последовательно проводимые в одном вакуумном цикле операции напыления через маску на полированную изолирующую подложку пленки алюминия, формирования барьерного слоя из окиси алюминия и напыления через маску второго слоя алюминия, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности характеристик контакта, после формирования барьерного слоя наносят пленку меди, содержащую ┘ атомов меди на см2. Пленку наносят осаждением меди с распыляемой медной мишени при ┘
231.СПОСОБ МАГНИТНОГО ПОДВЕШИВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ВИТКА в поле источника постоянного магнитного поля, включающий размещение витка в зоне магнитного поля источника в положении, когда плоскость витка перпендикулярна направлению поля источника, и перевод витка в сверхпроводящее состояние, отличающийся тем, что, с целью увеличения перегрузочной способности подвески, до перевода витка в сверхпроводящее состояние фиксируют виток, затем в зону магнитного поля источника вводят и фиксируют тело из магнитомягкого материала, ┘
232.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ Nb3Sn, включающий совместное плавление меди и ниобия, кристаллизацию расплава путем его распыления, компактирование порошковой заготовки, ее деформацию до проводника заданного сечения, введение олова до или после деформации и термодиффузионную обработку для образования Nb3Sn, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества материала за счет повышения однородности распределения ниобия в медной матрице, распыление расплава производят при ┘
233.СПОСОБ ОБРАБОТКИ РАБОЧИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ НИОБИЕВЫХ СВЧ-СТРУКТУР, заключающийся в электрохимическом осаждении на рабочую поверхность сверхпроводника диэлектрической пленки пятиокиси ниобия, отличающийся тем, что, с целью повышения предельного уровня СВЧ-полей структуры, поверхность диэлектрической пленки облучают потоком электронов, энергия которых ┘
234.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА на основе Nb3Al0,8Ge0,2, включающий воздействие высокого давления и температуры на предварительно спрессованные смеси из порошкообразных компонентов с последующим снижением температуры до комнатной и давления до нормального, отличающийся тем, что, с целью повышения пластичности и механической прочности, в смесь дополнительно вводят порошок меди ┘
235.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА СО СТРУКТУРОЙ А-15 В V-Re СИСТЕМЕ, включающий сплавление исходных компонентов в дуговой печи в атмосфере аргона и последующий отжиг в вакууме, отличающийся тем, что, с целью расширения области гомогенности материала, перед отжигом материал подвергают воздействию гидростатического давления ┘, отжиг проводят при ┘, а исходные компоненты берут в следующих соотношениях ┘
236.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ШУНТИРОВАННЫХ ТУННЕЛЬНЫХ КОНТАКТОВ, включающий формирование на подложке маски из фоторезиста с рисунком нижнего электрода, нанесение нижнего электрода, создание туннельного барьера, нанесение верхнего электрода в одном вакуумном цикле, удаление маски, формирование маски верхнего электрода из фоторезиста, плазмохимическое травление верхнего электрода, электрохимическое зондирование, удаление фоторезиста, ионное травление верхнего электрода, нанесение слоя сверхпроводника для присоединения к верхнему электроду, отличающийся тем, что, с целью получения контактов с безгистерезисной вольтамперной характеристикой, обеспечения наиболее простого последовательного соединения шунтированных контактов в цепочку, нижний электрод туннельного контакта осаждают на резистивный слой, нанесенный первым в том же вакуумном цикле, изолятор между верхним электродом и резистивным элементом получают ┘
237.СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО СОСТОЯНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ОБЪЕКТА, заключающийся в том, что определяют допустимое значение выделившейся в сверхпроводящем энергетическом объекте энергии из-за существования в нем нормальной зоны, и номинальное значение параметра, характеризующего сверхпроводящее состояние, измеряют величину этого параметра в объекте, преобразуют эту величину в электрический сигнал, дифференцируют, анализируют знак производной и при отклонении параметра от номинального значения, а также при выполнении одного из условий: ┘, уменьшают ток в объекте, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности системы автоматического регулирования сверхпроводящего состояния, формируют ошибку регулирования в виде ┘
238.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЛИННОМЕРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА НА ОСНОВЕ ТРОЙНОГО СУЛЬФИДА МОЛИБДЕНА, включающий приготовление смеси порошков исходных компонентов, содержащих серу, молибден и олово, размещение смеси в герметичной оболочке, деформирование оболочки со смесью до необходимого размера и диффузионный отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, в качестве исходных компонентв используют стехиометрическую смесь порошков дисульфидов олова и молибдена в в массовом соотношении ..., а в качестве материала оболочки -√ниобий. Отжиг проводника осуществляют при ┘ в течение ┘
239.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДЖОЗЕФСОНОВСКОГО ТУННЕЛЬНОГО КОНТАКТА, заключающийся в формировании туннельного барьера между двумя сверхпроводниками, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности и устойчивости джозефсоновского туннельного контакта к температурному циклированию, туннельный барьер формируют путем образования поверхности срастания между сверхпроводниками, а сверхпроводники выращивают в виде монокристаллических блоков ┘ путем кристаллизации в расплаве шихты при градиенте температур ┘по высоте расплава, состоящего из ┘
240.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ЛЕНТОЧНОЙ МЕТАЛЛОКОМПОЗИЦИИ, содержащее ванну для припоя, размещенные в ней дугообразные направляющие для сверхпроводящих элементов и лент из нормально проводящих материалов, формующий узел и тяговый механизм, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик, по обе стороны каждой из дугообразных направляющих в ванне дополнительно установлены плавающие в горизонтальном направлении ролики, при этом формующий узел выполнен в виде набора последовательно расположенных над ванной пар роликов, установленных ┘
241.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ОБРАЗЦОВ, содержащее криостат с установленным в нем соленоидом, вдоль оси которого на каркасе размещены катушки индуктивности, резистивный контакт и сверхпроводящий образец, расположенный по центру соленоида, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона исследуемых изделий с одновременным улучшением устройства, катушка индуктивности совмещена со сверхпроводящим образцом, представляющим собой неполные два витка ┘
242.ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИМЕСИ С РАБОЧЕЙ ПОВЕРХНОСТИ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО РЕЗОНАТОРА, изготовленного из ниобия с примесью тяжелых элементов (Ta, W, Mo), содержащий минеральную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества очистки и достижения за счет этого высокой стабильности собственной частоты резонатора в течение длительного времени, он дополнительно содержит диэтиламид никотиновой кислоты ┘
243.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРА СВЯЗИ СКВИДА И КОЛЕБАТЕЛЬНОГО КОНТУРА, содержащее генератор пилообразного напряжения, управляемый им генератор высокочастотного напряжения, генератор пилообразного тока, выход которого соединен через резистор с выходом генератора высокочастотного напряжения и является выходом устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, дополнительно введены полосовой фильтр, детектор, дифференциатор, генератор опорной частоты ┘
244.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ С ДИФФУЗИОННЫМИ НИОБИЙ-ОЛОВЯННЫМИ СЛОЯМИ, включающий операцию нанесения олова на поверхность ниобия, диффузионный отжиг полученной композиции при температурах выше 930 град. С, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины сверхпроводящей фазы типа А15, степени однофазности ниобий-оловянных покрытий и СВЧ-характеристик, после диффузионного отжига композицию подвергают охлаждению со скоростью ┘
245.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ НА ПОВЕРХНОСТИ СВЕРХПРОВОДНИКА НА ОСНОВЕ НИОБИЯ , включающий предварительное нанесение на поверхность сверхпроводника металлического слоя в вакууме плазменно-дуговым методом и последующее наращивание этого слоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрического контакта с поверхностью, обработанной до 12 класса чистоты, предварительное нанесение металлического слоя осуществляют при потенциале сверхпроводника относительно земли ┘
246*.СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО СОСТОЯНИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ОБЪЕКТА, заключающийся в том, что измеряют величину параметра, характеризующего сверхпроводящее состояние, преобразуют эту величину в электрический сигнал, дифференцируют, анализируют знак производной и при отклонении измеренного параметра от нормального значения, а также при появлении производной от этого параметра, уменьшают ток в объекте, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы объекта, дополнительно фиксируют момент образования нормальных зон, определяют время существования нормальных зон как ┘, оценивают время включения сигнала на уменьшение тока ┘и формируют дополнительное условие уменьшения тока ┘, причем после восстановления сверхпроводимости увеличивают рабочий ток до уровня, определяемого соотношением : ┘
247.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО СОЛЕНОИДА путем навивки сверхпроводника, отжига его и введения изоляции между витками, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения сверхпроводящих свойств путем стабилизации плотности критического тока, улучшения охлаждения и механических свойств, после навивки сверхпроводника, введение изоляции между витками осуществляют путем засыпки металлического порошка эвтектического сплава на основе меди и алюминия и спекают соленоид одновременно с отжигом сверхпроводника .
248.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МАТЕРИАЛОВ ТИПА А3В, где А √ ниобий или ванадий; В √ алюминий, олово, галлий, а также сплавы и соединения с температурой плавления не более 680 град. С, включающий выплавку исходных компонентов, подготовку матрицы из компонентов А, сборку заготовки, редуцирование ее поперечного сечения и термообработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения сверхпроводящих свойств материала, сборку заготовки проводят путем заливки в вакууме расплава компонента В в отсутствие матрицы, предварительно подогретой до ┘
249.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, включающий компактирование заготовки из матричного металла и металла, содержащего основу сверхпроводящей фазы, ее деформацию до проводника заданного размера, введение вспомогательного металла, входящего в состав сверхпроводящей фазы и термообработку проводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, компактирование и введение вспомогательного металла осуществляют путем электролитического заращивания металла, составляющего основу сверхпроводящей фазы, матичным или вспомогательным металлом или их сплавом ┘
250.СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий нанесение на диэлектрическую подложку сверхпроводящего экрана из ниобия, электролитическое анодирование ниобия, нанесение пленки ниобия для формирования сверхпроводящего мостика при температуре 450-750 град. С, формирование рельефа сверхпроводящего мостика, нанесение слоя изоляции и управляющего сверхпроводящего электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения временной стабильности и процента выхода годных, после операции электролитического анодирования ниобия нагревают сформированную структуру до ┘, осаждают слой вентильного металла толщиной ┘, производят травление слоя вентильного металла и повторное электролитическое анодирование.
251.УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ ЭНЕРГИИ В КРИОСТАТ, содержащее две индуктивно связанные катушки, одна из которых размещена в герметичной полости, отличающееся тем, что, с целью улучшения точности его параметров и снижения расхода хладагента, герметичная полость образована двумя имеющими различную температуру и размещенными одна в другой емкостями и вакуумирована, причем ┘
252.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ СВЕРХПРОВОДНИКА НА ОСНОВЕ Nb3Sn ПОКРЫТИЙ ИЗ МЕТАЛЛОВ С ВЫСОКОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬЮ, включающий предварительное нанесение из паровой фазы с высоким содержанием ионной составляющей на поверхность сверхпроводника тонкого металлического слоя и последующего наращивания этого слоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения адгезионных свойств покрытий, улучшения электро- и теплового контакта между сверхпроводником и металлическим покрытием, предварительное нанесение металлического слоя осуществляют плазменно-дуговым напылением при температуре ┘
253*.СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЭКСТРЕМАЛЬНО МАЛЫХ СИГНАЛОВ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА И НАПРЯЖЕНИЯ, заключающийся в том, что исследуемый переменный сигнал измеряют с помощью СКВИДа, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона измерений, предварительно с помощью сверхпроводящей ячейки памяти запоминают постоянный ток, наведенный в ячейке исследуемым переменным сигналом и пропорциональный амплитуде этого сигнала, путем воздействия на сверхпроводящую ячейку сигналом, вызывающим разрушение сверхпроводимости одной из ее ветвей синхронно с измеряемым сигналом, а затем измеряют в ячейке постоянный ток.
254.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО БОЛОМЕТРА, включающий нанесение чувствительного слоя сверхпроводящего материала на лежащие в одной плоскости поверхности подложки и токоподводов, при этом подложку с токоподводами предварительно соединяют и выравнивают места их соединений путем заполнения этих мест жидким затвердевающим компонентом, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия за счет уменьшения толщины наносимого чувствительного слоя до значений менее ┘ и уменьшения термического сопротивления на границах чувствительного слоя с окружающей средой, нанесение чувствительного слоя осуществляют в среде низкотемпературного жидкого хладагента при ┘
255.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ ИЗ Nb3Sn, включающий холодную прокатку чистого ниобия, пропускание ниобиевой ленты через жидкое олово, диффузионный отжиг в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности ленты по критическим параметрам, проводят обработку сверхпроводящего покрытия ленты азотом.
256*.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИОБИЯ, включающий в себя процессы получения исходного однородного по составу материала и формообразования, отличающийся тем, что, с целью увеличения области идеального диамагнетизма, значений нижнего и верхнего критических магнитных полей материала изделий при уменьшении трудоемкости, длительности и стоимости процесса его изготовления, в приповерхностном слое создают сжимающие напряжения┘
257.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СКВИДОВ, включающий создание джозефсоновских контактов и контуров квантования, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия и процента выхода годных схем, контур квантования создают путем перевода нижней сверхпроводящей пленки, не образующей джозефсоновских контактов, в нормальное состояние с помощью бомбардировки ионами в плазме газового разряда ┘
258.СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДНИКА на основе халькогенида молибдена в виде ленты путем нанесения на подложку жидкотекучей смеси мелкодисперсных порошков √ компонентов с органическим связующим с последующей сушкой и спеканием, отличающийся тем, что, с целью повышения критических значений тока и напряженности магнитного поля, в качестве подложки используют молибденовую ленту, сушку проводят при температуре ┘, а спекание √ при температуре ┘, причем в качестве порошков-компонентов берут смесь порошков свинца и сульфида свинца, а также органическое связующее при следующем соотношении ингредиентов ┘
259.СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ НИОБИЕВЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ СТРУКТУР, включающий механическую полировку, высокотемпературный отжиг, бомбардировку положительными ионами инертных газов и анодное оксидирование, отличающийся тем, что, с целью повышения электрической прочности и добротности сверхпроводящих структур и упрощения процесса обработки, анодное оксидирование проводят в плазме тлеющего разряда кислорода ┘
260.СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТУННЕЛЬНЫХ ПЕРЕХОДОВ путем последовательного нанесения осаждением на диэлектрическую подложку нижнего сверхпроводящего электрода, слоя фоторезиста, с последующим удалением части его для формирования площади перехода, окисления открытых участков нижнего сверхпроводящего электрода, удаления остатков фоторезиста, создания диэлектрического слоя туннельной толщины в месте перехода, осаждения верхнего сверхпроводящего электрода и диэлектрического защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров туннельных переходов, диэлектрический слой туннельной толщины создают путем импульсного воздействия лазерным излучением на поверхность нижнего электрода в окислительной атмосфере.
261*.СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МОЩНОСТИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ посредством измерения сопротивления сверхпроводящей пленки при воздействии на ее поверхность измеряемого излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности излучения, сверхпроводящую пленку одновременно облучают дополнительным потоком электромагнитного излучения интенсивностью, определяемой по формуле ┘
262.СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГИПЕРПРОВОДЯЩИХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ОБМО
ОБЗОР ИЗОБРЕТЕНИЙ СВЕРХПРОВОДНИКИ. Часть 2.
добавить ресурс
.gif){kind=small}
Переработка мусора:
ТБО и другие проблемы современности:
© Дизайн Студии РОМАрт, 2004.